رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
HN4A56JU(TE85L,F)
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
HN4A56JU(TE85L,F)-DG
وصف:
TRANS 2 PNP 50V 150MA 5TSSOP
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 60MHz 200mW Surface Mount USV
المخزون:
12889357
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
HN4A56JU(TE85L,F) المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مصفوفات الترانزستورات الثنائية القطبية
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
2 PNP (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
150mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 10mA, 100mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
120 @ 2mA, 6V
الطاقة - الحد الأقصى
200mW
التردد - الانتقال
60MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
حزمة جهاز المورد
USV
رقم المنتج الأساسي
HN4A56
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
HN4A56JU(TE85LF)TR
HN4A56JU(TE85LF)DKR
HN4A56JU(TE85LF)CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
HN2C01FU-Y(TE85L,F
TRANS 2NPN 50V 0.15A US6
HN1C01FYTE85LF
TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6
HN2C01FEYTE85LF
TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
