HN4C51J(TE85L,F)
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

HN4C51J(TE85L,F)

Product Overview

المُصنّع:

Toshiba Semiconductor and Storage

رقم الجزء DiGi Electronics:

HN4C51J(TE85L,F)-DG

وصف:

TRANS 2NPN 120V 0.1A SMV
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) Common Base 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SMV

المخزون:

6983 قطع جديدة أصلية في المخزون
12891919
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

HN4C51J(TE85L,F) المواصفات الفنية

فئة
ثنائي القطب (BJT), مصفوفات الترانزستورات الثنائية القطبية
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
2 NPN (Dual) Common Base
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
120V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 1mA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
200 @ 2mA, 6V
الطاقة - الحد الأقصى
300mW
التردد - الانتقال
100MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SC-74A, SOT-753
حزمة جهاز المورد
SMV
رقم المنتج الأساسي
HN4C51

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
HN4C51J (TE85LF)
HN4C51JTE85LF
HN4C51J(TE85LF)DKR
HN4C51J(TE85LF)CT
HN4C51J (TE85L,F)
HN4C51J(TE85LF)TR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
diodes

DMMT3904WQ-7-F

TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT363

nexperia

BCM847BS/ZLF

TRANS 2NPN 45V 0.1A 6TSSOP

diodes

IMT4-7-F

TRANS 2PNP 120V 0.05A SOT26

diodes

DST857BDJ-7

TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT963