رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
RN1103MFV,L3F
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
RN1103MFV,L3F-DG
وصف:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
المخزون:
254 قطع جديدة أصلية في المخزون
12889861
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
RN1103MFV,L3F المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب مسبقة التحفيز مفردة
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Cut Tape (CT)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
NPN - Pre-Biased
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50 V
المقاوم - القاعدة (R1)
22 kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
22 kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
70 @ 10mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 500µA, 5mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
الطاقة - الحد الأقصى
150 mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-723
حزمة جهاز المورد
VESM
رقم المنتج الأساسي
RN1103
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
8,000
اسماء اخرى
RN1103MFV,L3F(T
RN1103MFV,L3F(B
RN1103MFVL3FTR
RN1103MFVL3FDKR
RN1103MFVL3FCT
RN1103MFVL3F
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NSBC124EF3T5G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
4316
DiGi رقم الجزء
NSBC124EF3T5G-DG
سعر الوحدة
0.07
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DTC124EM3T5G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
7315
DiGi رقم الجزء
DTC124EM3T5G-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RN2305(TE85L,F)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
RN1103MFV(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
RN2114(TE85L,F)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
