رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
RN1108(T5L,F,T)
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
RN1108(T5L,F,T)-DG
وصف:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SSM
المخزون:
1633 قطع جديدة أصلية في المخزون
12889393
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
RN1108(T5L,F,T) المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب مسبقة التحفيز مفردة
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Cut Tape (CT)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
NPN - Pre-Biased
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50 V
المقاوم - القاعدة (R1)
22 kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
47 kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
80 @ 10mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 250µA, 5mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
التردد - الانتقال
250 MHz
الطاقة - الحد الأقصى
100 mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SC-75, SOT-416
حزمة جهاز المورد
SSM
رقم المنتج الأساسي
RN1108
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
RN1108(T5LFT)TR
RN1108(T5LFT)CT
RN1108(T5LFT)DKR
RN1108T5LFT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
نماذج بديلة
رقم الجزء
SDTC124EET1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
5990
DiGi رقم الجزء
SDTC124EET1G-DG
سعر الوحدة
0.04
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DTC024XEBTL
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
4977
DiGi رقم الجزء
DTC024XEBTL-DG
سعر الوحدة
0.04
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
RN1408,LF
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
2950
DiGi رقم الجزء
RN1408,LF-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RN2113,LF(CT
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
RN1316,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
RN2111ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
