رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
RN1112ACT(TPL3)
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
RN1112ACT(TPL3)-DG
وصف:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 80 mA 100 mW Surface Mount CST3
المخزون:
9945 قطع جديدة أصلية في المخزون
12889332
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
RN1112ACT(TPL3) المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب مسبقة التحفيز مفردة
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Cut Tape (CT)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
NPN - Pre-Biased
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
80 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50 V
المقاوم - القاعدة (R1)
22 kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
120 @ 1mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
150mV @ 250µA, 5mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
الطاقة - الحد الأقصى
100 mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SC-101, SOT-883
حزمة جهاز المورد
CST3
رقم المنتج الأساسي
RN1112
معلومات إضافية
الباقة القياسية
10,000
اسماء اخرى
RN1112ACT(TPL3)DKR
RN1112ACT(TPL3)CT
RN1112ACT(TPL3)TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
PDTC124TM,315
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
PDTC124TM,315-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RN2103(T5L,F,T)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
RN1104T5LFT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
DTA143ZE-TP
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT523
