RN1611(TE85L,F)
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

RN1611(TE85L,F)

Product Overview

المُصنّع:

Toshiba Semiconductor and Storage

رقم الجزء DiGi Electronics:

RN1611(TE85L,F)-DG

وصف:

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SM6

المخزون:

325 قطع جديدة أصلية في المخزون
12889094
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

RN1611(TE85L,F) المواصفات الفنية

فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
10kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
-
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
120 @ 1mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 250µA, 5mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
التردد - الانتقال
250MHz
الطاقة - الحد الأقصى
300mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SC-74, SOT-457
حزمة جهاز المورد
SM6
رقم المنتج الأساسي
RN1611

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
RN1611(TE85LF)TR
RN1611(TE85LF)CT
RN1611(TE85LF)DKR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
QSH29TR
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
3000
DiGi رقم الجزء
QSH29TR-DG
سعر الوحدة
0.26
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
toshiba-semiconductor-and-storage

RN4985FE,LF(CT

NPN + PNP BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER

toshiba-semiconductor-and-storage

RN4990(T5L,F,T)

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN4906FE,LF(CT

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN4987FE,LF(CT

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6