رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
RN1611(TE85L,F)
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
RN1611(TE85L,F)-DG
وصف:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SM6
المخزون:
325 قطع جديدة أصلية في المخزون
12889094
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
RN1611(TE85L,F) المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
10kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
-
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
120 @ 1mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 250µA, 5mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
التردد - الانتقال
250MHz
الطاقة - الحد الأقصى
300mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SC-74, SOT-457
حزمة جهاز المورد
SM6
رقم المنتج الأساسي
RN1611
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
RN1611(TE85LF)TR
RN1611(TE85LF)CT
RN1611(TE85LF)DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
QSH29TR
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
3000
DiGi رقم الجزء
QSH29TR-DG
سعر الوحدة
0.26
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RN4985FE,LF(CT
NPN + PNP BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER
RN4990(T5L,F,T)
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
RN4906FE,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6