RN1706JE(TE85L,F)
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

RN1706JE(TE85L,F)

Product Overview

المُصنّع:

Toshiba Semiconductor and Storage

رقم الجزء DiGi Electronics:

RN1706JE(TE85L,F)-DG

وصف:

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ESV

المخزون:

12891281
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

RN1706JE(TE85L,F) المواصفات الفنية

فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
4.7kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
47kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
80 @ 10mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 250µA, 5mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
التردد - الانتقال
250MHz
الطاقة - الحد الأقصى
100mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-553
حزمة جهاز المورد
ESV
رقم المنتج الأساسي
RN1706

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
RN1706JE(TE85LF)DKR
RN1706JE(TE85LF)CT
RN1706JE(TE85LF)TR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
toshiba-semiconductor-and-storage

RN1601(TE85L,F)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2909,LF(CT

PNPX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER22KOH

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1610(TE85L,F)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1709,LF

NPNX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER22KOH