رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
RN1710JE(TE85L,F)
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
RN1710JE(TE85L,F)-DG
وصف:
NPN X 2 BRT Q1BSR=4.7KOHM Q1BER=
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ESV
المخزون:
3863 قطع جديدة أصلية في المخزون
13275908
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
RN1710JE(TE85L,F) المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
4.7kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
-
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
120 @ 1mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 250µA, 5mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
التردد - الانتقال
250MHz
الطاقة - الحد الأقصى
100mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-553
حزمة جهاز المورد
ESV
رقم المنتج الأساسي
RN1710
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
264-RN1710JE(TE85LF)DKR
264-RN1710JE(TE85LF)CT
264-RN1710JE(TE85LF)TR
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FMC2T148
TRANS DGTL BJT NPN/PNP SMT5
DDC143XU-13
Prebias Transistor SOT363 T&R 10
UMD10N-TP
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V