رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
RN1904,LF(CT
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
RN1904,LF(CT-DG
وصف:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
المخزون:
3000 قطع جديدة أصلية في المخزون
12889581
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
RN1904,LF(CT المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
47kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
47kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
80 @ 10mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 250µA, 5mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
التردد - الانتقال
250MHz
الطاقة - الحد الأقصى
200mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
US6
رقم المنتج الأساسي
RN1904
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
RN1904LF(CTDKR
RN1904LF(CTCT-DG
RN1904LF(CT
RN1904LF(CTCT
264-RN1904,LF(CT
RN1904LF(CTTR-DG
RN1904,LF(CB
RN1904T5LFT
RN1904(T5LFT)DKR-DG
RN1904(T5LFT)CT-DG
RN1904(T5LFT)TR-DG
264-RN1904,LF(CTDKR
RN1904(T5LFT)TR
RN1904LF(CTDKR-DG
RN1904(T5LFT)CT
RN1904(T5LFT)DKR
RN1904(T5L,F,T)
RN1904LF(CT-DG
RN1904LF(CTTR
264-RN1904,LF(CTTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RN2712JE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
RN4991FE,LF(CT
NPN + PNP BRT Q1BSR10KOHM Q1BERI
RN2902FE(T5L,F,T)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
