RN1904FE,LF(CT
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

RN1904FE,LF(CT

Product Overview

المُصنّع:

Toshiba Semiconductor and Storage

رقم الجزء DiGi Electronics:

RN1904FE,LF(CT-DG

وصف:

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6

المخزون:

3425 قطع جديدة أصلية في المخزون
12889866
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

RN1904FE,LF(CT المواصفات الفنية

فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
47kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
47kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
80 @ 10mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 250µA, 5mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
التردد - الانتقال
250MHz
الطاقة - الحد الأقصى
100mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-563, SOT-666
حزمة جهاز المورد
ES6
رقم المنتج الأساسي
RN1904

مواصفات تقنية ومستندات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
RN1904FE(T5LFT)DKR
RN1904FE(T5LFT)CT
RN1904FELF(CTTR
RN1904FE(T5LFT)TR
264-RN1904FE,LF(CTTR
264-RN1904FE,LF(CT
RN1904FE(T5L,F,T)
RN1904FE(T5LFT)DKR-DG
RN1904FELF(CTDKR-DG
264-RN1904FE,LF(CTDKR
RN1904FELF(CTTR-DG
RN1904FELF(CTCT-DG
RN1904FELF(CTDKR
RN1904FE(T5LFT)TR-DG
RN1904FELF(CTCT
RN1904FE,LF(CB
RN1904FE(T5LFT)CT-DG

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
EMH2T2R
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
87850
DiGi رقم الجزء
EMH2T2R-DG
سعر الوحدة
0.08
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DCX144EH-7
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
4474
DiGi رقم الجزء
DCX144EH-7-DG
سعر الوحدة
0.06
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PEMH2,115
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
4000
DiGi رقم الجزء
PEMH2,115-DG
سعر الوحدة
0.07
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PEMD12,315
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
8000
DiGi رقم الجزء
PEMD12,315-DG
سعر الوحدة
0.07
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
NSBC144EDXV6T1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
8000
DiGi رقم الجزء
NSBC144EDXV6T1G-DG
سعر الوحدة
0.05
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
toshiba-semiconductor-and-storage

RN1973(TE85L,F)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2963(TE85L,F)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN4908,LF(CT

PNP + NPN BRT Q1BSR10KOHM Q1BER4

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2969(TE85L,F)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6