الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
جمهورية الكونغو الديمقراطية
الأرجنتين
تركيا
رومانيا
لتوانيا
النرويج
النمسا
أنغولا
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
بيلاروسيا
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
الجبل الأسود
الروسية
بلجيكا
السويد
صربيا
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
مولدافيا
ألمانيا
هولندا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
فرنسا
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
البرتغال
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
إسبانيا
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
RN1904FE,LF(CT
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
RN1904FE,LF(CT-DG
وصف:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
المخزون:
3425 قطع جديدة أصلية في المخزون
12889866
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
RN1904FE,LF(CT المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
47kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
47kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
80 @ 10mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 250µA, 5mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
التردد - الانتقال
250MHz
الطاقة - الحد الأقصى
100mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-563, SOT-666
حزمة جهاز المورد
ES6
رقم المنتج الأساسي
RN1904
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
RN1902FE - RN1906FE Datasheet
RN1901FE-06FE
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
RN1904FE(T5LFT)DKR
RN1904FE(T5LFT)CT
RN1904FELF(CTTR
RN1904FE(T5LFT)TR
264-RN1904FE,LF(CTTR
264-RN1904FE,LF(CT
RN1904FE(T5L,F,T)
RN1904FE(T5LFT)DKR-DG
RN1904FELF(CTDKR-DG
264-RN1904FE,LF(CTDKR
RN1904FELF(CTTR-DG
RN1904FELF(CTCT-DG
RN1904FELF(CTDKR
RN1904FE(T5LFT)TR-DG
RN1904FELF(CTCT
RN1904FE,LF(CB
RN1904FE(T5LFT)CT-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
EMH2T2R
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
87850
DiGi رقم الجزء
EMH2T2R-DG
سعر الوحدة
0.08
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DCX144EH-7
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
4474
DiGi رقم الجزء
DCX144EH-7-DG
سعر الوحدة
0.06
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PEMH2,115
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
4000
DiGi رقم الجزء
PEMH2,115-DG
سعر الوحدة
0.07
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PEMD12,315
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
8000
DiGi رقم الجزء
PEMD12,315-DG
سعر الوحدة
0.07
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
NSBC144EDXV6T1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
8000
DiGi رقم الجزء
NSBC144EDXV6T1G-DG
سعر الوحدة
0.05
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RN1973(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
RN2963(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
RN4908,LF(CT
PNP + NPN BRT Q1BSR10KOHM Q1BER4
RN2969(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6