رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
RN1909,LXHF(CT
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
RN1909,LXHF(CT-DG
وصف:
AUTO AEC-Q TR NPNX2 BRT, Q1BSR=4
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
المخزون:
6000 قطع جديدة أصلية في المخزون
12968487
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
RN1909,LXHF(CT المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
47kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
22kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
70 @ 10mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 250µA, 5mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
التردد - الانتقال
250MHz
الطاقة - الحد الأقصى
200mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
US6
رقم المنتج الأساسي
RN1909
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
264-RN1909,LXHF(CT-DG
264-RN1909,LXHF(CT
264-RN1909,LXHF(CTTR-DG
264-RN1909,LXHF(CTDKR-DG
264-RN1909LXHF(CTDKR
264-RN1909LXHF(CTTR
264-RN1909,LXHF(CTTR
264-RN1909,LXHF(CTDKR
264-RN1909LXHF(CT
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NSBC143TPDXV6T5
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
MUN5338DW1T3G
SS SC88 DUAL BRT TRPDBN
NSVBC123JDXV6T5G
SS SOT563 SRF MT RST XSTR