رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
RN1966FE(TE85L,F)
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
RN1966FE(TE85L,F)-DG
وصف:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
المخزون:
4000 قطع جديدة أصلية في المخزون
12890239
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
5Jo9
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
RN1966FE(TE85L,F) المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
4.7kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
47kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
80 @ 10mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 250µA, 5mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
التردد - الانتقال
250MHz
الطاقة - الحد الأقصى
100mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-563, SOT-666
حزمة جهاز المورد
ES6
رقم المنتج الأساسي
RN1966
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
RN1966FE(TE85LF)DKR
RN1966FETE85LF
RN1966FE(TE85LF)TR
RN1966FE(TE85LF)CT
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
RN1106MFV,L3F
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
53233
DiGi رقم الجزء
RN1106MFV,L3F-DG
سعر الوحدة
0.01
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RN1705,LF
NPNX2 BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER47KO
RN4606(TE85L,F)
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
DCX123JU-7-F
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
