RN1966FE(TE85L,F)
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

RN1966FE(TE85L,F)

Product Overview

المُصنّع:

Toshiba Semiconductor and Storage

رقم الجزء DiGi Electronics:

RN1966FE(TE85L,F)-DG

وصف:

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6

المخزون:

4000 قطع جديدة أصلية في المخزون
12890239
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

RN1966FE(TE85L,F) المواصفات الفنية

فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
4.7kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
47kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
80 @ 10mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 250µA, 5mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
التردد - الانتقال
250MHz
الطاقة - الحد الأقصى
100mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-563, SOT-666
حزمة جهاز المورد
ES6
رقم المنتج الأساسي
RN1966

معلومات إضافية

الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
RN1966FE(TE85LF)DKR
RN1966FETE85LF
RN1966FE(TE85LF)TR
RN1966FE(TE85LF)CT

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
RN1106MFV,L3F
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
53233
DiGi رقم الجزء
RN1106MFV,L3F-DG
سعر الوحدة
0.01
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
toshiba-semiconductor-and-storage

RN1705,LF

NPNX2 BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER47KO

toshiba-semiconductor-and-storage

RN4606(TE85L,F)

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6

diodes

DCX123JU-7-F

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1908(T5L,F,T)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6