رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
RN1970FE(TE85L,F)
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
RN1970FE(TE85L,F)-DG
وصف:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
المخزون:
12889503
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
RN1970FE(TE85L,F) المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
4.7kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
-
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
120 @ 1mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 250µA, 5mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
التردد - الانتقال
250MHz
الطاقة - الحد الأقصى
100mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-563, SOT-666
حزمة جهاز المورد
ES6
رقم المنتج الأساسي
RN1970
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
RN1970FE(TE85LF)DKR
RN1970FE(TE85LF)CT
RN1970FE(TE85LF)TR
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
PEMD6,115
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
4000
DiGi رقم الجزء
PEMD6,115-DG
سعر الوحدة
0.06
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
RN1110MFV,L3F
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
8000
DiGi رقم الجزء
RN1110MFV,L3F-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
EMH3T2R
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
528
DiGi رقم الجزء
EMH3T2R-DG
سعر الوحدة
0.08
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RN4901,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
RN4985,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
RN1909(T5L,F,T)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
