رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
RN2110MFV,L3F
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
RN2110MFV,L3F-DG
وصف:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
المخزون:
7990 قطع جديدة أصلية في المخزون
12890460
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
RN2110MFV,L3F المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب مسبقة التحفيز مفردة
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
PNP - Pre-Biased
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50 V
المقاوم - القاعدة (R1)
4.7 kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
120 @ 1mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 250µA, 5mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
الطاقة - الحد الأقصى
150 mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-723
حزمة جهاز المورد
VESM
رقم المنتج الأساسي
RN2110
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
8,000
اسماء اخرى
264-RN2110MFV,L3FCT
264-RN2110MFV,L3FDKR
RN2110MFVL3F-DG
264-RN2110MFV,L3FTR
RN2110MFVL3F
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NSBA143TF3T5G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
8000
DiGi رقم الجزء
NSBA143TF3T5G-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DTA143TMT2L
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
16000
DiGi رقم الجزء
DTA143TMT2L-DG
سعر الوحدة
0.04
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DTA043TMT2L
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
DTA043TMT2L-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DDTC143EE-7-F
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523
DDTA114ECA-7
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
DDTA124XE-7-F
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT523
