رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
RN2118MFV(TPL3)
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
RN2118MFV(TPL3)-DG
وصف:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
المخزون:
3000 قطع جديدة أصلية في المخزون
12889956
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
RN2118MFV(TPL3) المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب مسبقة التحفيز مفردة
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Cut Tape (CT)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
PNP - Pre-Biased
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50 V
المقاوم - القاعدة (R1)
47 kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
10 kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
50 @ 10mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 500µA, 5mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
الطاقة - الحد الأقصى
150 mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-723
حزمة جهاز المورد
VESM
رقم المنتج الأساسي
RN2118
معلومات إضافية
الباقة القياسية
8,000
اسماء اخرى
RN2118MFV(TPL3)CT
RN2118MFV(TPL3)DKR
RN2118MFV(TPL3)-DG
RN2118MFV(TPL3)TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
RN2318(TE85L,F)
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
3000
DiGi رقم الجزء
RN2318(TE85L,F)-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DTA144WM3T5G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
DTA144WM3T5G-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DTA144TMT2L
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
8000
DiGi رقم الجزء
DTA144TMT2L-DG
سعر الوحدة
0.04
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DDTC144TCA-7
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
RN2314(TE85L,F)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
RN1303(TE85L,F)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
