رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
RN2421(TE85L,F)
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
RN2421(TE85L,F)-DG
وصف:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 800 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount S-Mini
المخزون:
12890983
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
RN2421(TE85L,F) المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب مسبقة التحفيز مفردة
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع الترانزستور
PNP - Pre-Biased
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
800 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50 V
المقاوم - القاعدة (R1)
1 kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
1 kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
60 @ 100mA, 1V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
250mV @ 2mA, 50mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
التردد - الانتقال
200 MHz
الطاقة - الحد الأقصى
200 mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
حزمة جهاز المورد
S-Mini
رقم المنتج الأساسي
RN2421
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
RN2421(TE85LF)CT
RN2421(TE85LF)TR
RN2421(TE85LF)DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
نماذج بديلة
رقم الجزء
DTB113EKT146
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
1686
DiGi رقم الجزء
DTB113EKT146-DG
سعر الوحدة
0.08
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PDTB113ET,215
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
3000
DiGi رقم الجزء
PDTB113ET,215-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RN1117MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
RN2106,LF(CT
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
RN2310,LF
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
