RN2608(TE85L,F)
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

RN2608(TE85L,F)

Product Overview

المُصنّع:

Toshiba Semiconductor and Storage

رقم الجزء DiGi Electronics:

RN2608(TE85L,F)-DG

وصف:

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6

المخزون:

12889697
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

RN2608(TE85L,F) المواصفات الفنية

فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
22kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
47kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
80 @ 10mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 250µA, 5mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
التردد - الانتقال
200MHz
الطاقة - الحد الأقصى
300mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SC-74, SOT-457
حزمة جهاز المورد
SM6
رقم المنتج الأساسي
RN2608

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
RN2608(TE85LF)TR
RN2608(TE85LF)DKR
RN2608(TE85LF)CT

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
toshiba-semiconductor-and-storage

RN1903,LF(CT

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2906FE(TE85L,F)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2901(T5L,F,T)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1965FE(TE85L,F)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6