RN2710JE(TE85L,F)
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

RN2710JE(TE85L,F)

Product Overview

المُصنّع:

Toshiba Semiconductor and Storage

رقم الجزء DiGi Electronics:

RN2710JE(TE85L,F)-DG

وصف:

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV

المخزون:

3611 قطع جديدة أصلية في المخزون
12891815
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

RN2710JE(TE85L,F) المواصفات الفنية

فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
4.7kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
-
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
120 @ 1mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 250µA, 5mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
التردد - الانتقال
200MHz
الطاقة - الحد الأقصى
100mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-553
حزمة جهاز المورد
ESV
رقم المنتج الأساسي
RN2710

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
RN2710JE(TE85LF)DKR
RN2710JE(TE85LF)CT
RN2710JE(TE85LF)TR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
toshiba-semiconductor-and-storage

RN1906(T5L,F,T)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN4905FE,LF(CT

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6

diodes

DCX144EK-7-F

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SC74R

diodes

DDA143TU-7-F

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363