رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
RN2903,LF(CT
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
RN2903,LF(CT-DG
وصف:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
المخزون:
12891564
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
RN2903,LF(CT المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
22kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
22kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
70 @ 10mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 250µA, 5mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
التردد - الانتقال
200MHz
الطاقة - الحد الأقصى
200mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
US6
رقم المنتج الأساسي
RN2903
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
RN2903(T5L,F,T)
RN2903(T5LFT)CT-DG
RN2903,LF(CB
RN2903(T5LFT)TR
RN2903(T5LFT)TR-DG
RN2903LF(CTCT
RN2903(T5LFT)DKR
RN2903LF(CT-DG
RN2903LF(CTDKR
RN2903(T5LFT)CT
RN2903LF(CTTR
RN2903(T5LFT)DKR-DG
RN2903LF(CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SMUN5112DW1T1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
SMUN5112DW1T1G-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PUMB1,115
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
6000
DiGi رقم الجزء
PUMB1,115-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RN2603(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
RN2901FE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN1961FE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
