RN2908FE(TE85L,F)
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

RN2908FE(TE85L,F)

Product Overview

المُصنّع:

Toshiba Semiconductor and Storage

رقم الجزء DiGi Electronics:

RN2908FE(TE85L,F)-DG

وصف:

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6

المخزون:

7 قطع جديدة أصلية في المخزون
12891214
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

RN2908FE(TE85L,F) المواصفات الفنية

فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
22kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
47kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
80 @ 10mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 250µA, 5mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
التردد - الانتقال
200MHz
الطاقة - الحد الأقصى
100mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-563, SOT-666
حزمة جهاز المورد
ES6
رقم المنتج الأساسي
RN2908

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
RN2908FE(TE85LF)CT
RN2908FE(TE85LF)DKR
RN2908FE(TE85LF)TR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
NSBA124XDXV6T1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
NSBA124XDXV6T1G-DG
سعر الوحدة
0.05
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
toshiba-semiconductor-and-storage

RN2606(TE85L,F)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2908(T5L,F,T)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1711,LF

NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BERINF.K

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1902T5LFT

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6