رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
RN2908FE,LXHF(CT
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
RN2908FE,LXHF(CT-DG
وصف:
AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
المخزون:
6000 قطع جديدة أصلية في المخزون
12996778
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
RN2908FE,LXHF(CT المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
22kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
47kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
80 @ 10mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 250µA, 5mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
التردد - الانتقال
200MHz
الطاقة - الحد الأقصى
100mW
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-563, SOT-666
حزمة جهاز المورد
ES6
رقم المنتج الأساسي
RN2908
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
264-RN2908FE,LXHF(CT-DG
264-RN2908FELXHF(CTDKR
264-RN2908FE,LXHF(CTTR
264-RN2908FE,LXHF(CTTR-DG
264-RN2908FE,LXHF(CTDKR
264-RN2908FELXHF(CTTR
264-RN2908FE,LXHF(CTDKR-DG
264-RN2908FE,LXHF(CT
264-RN2908FELXHF(CT
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PBLS1503Y,115
NEXPERIA PBLS1503Y - SMALL SIGNA
PUMB9,115
NEXPERIA PUMB9 - SMALL SIGNAL BI
PBLS6004D,115
NEXPERIA PBLS6004D - SMALL SIGNA
