رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
RN2965(TE85L,F)
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
RN2965(TE85L,F)-DG
وصف:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
المخزون:
2998 قطع جديدة أصلية في المخزون
12889642
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
RN2965(TE85L,F) المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
2.2kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
47kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
80 @ 10mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 250µA, 5mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
التردد - الانتقال
200MHz
الطاقة - الحد الأقصى
200mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
US6
رقم المنتج الأساسي
RN2965
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
RN2965(TE85LF)DKR
RN2965(TE85LF)CT
RN2965(TE85LF)TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
MUN5135DW1T1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
52194
DiGi رقم الجزء
MUN5135DW1T1G-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DDA123JU-7-F
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
5700
DiGi رقم الجزء
DDA123JU-7-F-DG
سعر الوحدة
0.04
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RN2907,LF(CT
PNPX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOH
RN4984(T5L,F,T)
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
RN1905,LF
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6