RN4901FE,LF(CT
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

RN4901FE,LF(CT

Product Overview

المُصنّع:

Toshiba Semiconductor and Storage

رقم الجزء DiGi Electronics:

RN4901FE,LF(CT-DG

وصف:

PNP + NPN BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz, 250MHz 100mW Surface Mount ES6

المخزون:

330 قطع جديدة أصلية في المخزون
12889750
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

RN4901FE,LF(CT المواصفات الفنية

فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
4.7kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
4.7kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
30 @ 10mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 250µA, 5mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
التردد - الانتقال
200MHz, 250MHz
الطاقة - الحد الأقصى
100mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-563, SOT-666
حزمة جهاز المورد
ES6
رقم المنتج الأساسي
RN4901

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
RN4901FELF(CTCT
RN4901FELF(CTTR
RN4901FELF(CTDKR
RN4901FE,LF(CB

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
toshiba-semiconductor-and-storage

RN1510(TE85L,F)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1968(TE85L,F)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN4901(T5L,F,T)

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2506(TE85L,F)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV