رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
RN4904FE,LF(CT
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
RN4904FE,LF(CT-DG
وصف:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6
المخزون:
4000 قطع جديدة أصلية في المخزون
12889218
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
RN4904FE,LF(CT المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
47kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
47kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
80 @ 10mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 250µA, 5mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
التردد - الانتقال
250MHz, 200MHz
الطاقة - الحد الأقصى
100mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-563, SOT-666
حزمة جهاز المورد
ES6
رقم المنتج الأساسي
RN4904
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
RN4904FELF(CBTR-DG
RN4904FELF(CBCT
RN4904FELF(CTTR
RN4904FE(T5L,F,T)
RN4904FELF(CBCT-DG
RN4904FE(T5LFT)TR
RN4904FELF(CBDKR-DG
RN4904FE,LF(CB
RN4904FE(T5LFT)CT-DG
RN4904FELF(CTDKR
RN4904FE(T5LFT)TR-DG
RN4904FE(T5LFT)DKR-DG
RN4904FELF(CTCT
RN4904FELF(CBDKR
RN4904FE(T5LFT)DKR
RN4904FE(T5LFT)CT
RN4904FELF(CBTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RN1703JE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
RN1911,LF(CT
NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BERINF.K
RN2702,LF
TRANSISTOR PNPX2 BRT Q1BSR10KOHM