رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
RN4988,LXHF(CT
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
RN4988,LXHF(CT-DG
وصف:
AUTO AEC-Q TR NPN + PNP BRT, Q1B
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 200mW Surface Mount US6
المخزون:
6000 قطع جديدة أصلية في المخزون
12995320
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
RN4988,LXHF(CT المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
22kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
47kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
80 @ 10mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 250µA, 5mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
التردد - الانتقال
250MHz, 200MHz
الطاقة - الحد الأقصى
200mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
US6
رقم المنتج الأساسي
RN4988
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
264-RN4988,LXHF(CT
264-RN4988,LXHF(CTDKR
264-RN4988,LXHF(CTTR
264-RN4988,LXHF(CT-DG
264-RN4988LXHF(CTDKR
264-RN4988LXHF(CT
264-RN4988,LXHF(CTTR-DG
264-RN4988,LXHF(CTDKR-DG
264-RN4988LXHF(CTTR
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RN4981,LXHF(CT
AUTO AEC-Q NPN + PNP BRT, Q1BSR=
EMA6T2R
TRANS DIGITAL BJT PNP 50V 100MA
EMA7T2R
TRANS DIGITAL BJT PNP 100MA 5-PI