رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SSM10N954L,EFF
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
SSM10N954L,EFF-DG
وصف:
COMMON-DRAIN NCH MOSFET, 12V, 13
وصف تفصيلي:
N-Channel 12 V 13.5A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount TCSPAC-153001
المخزون:
10000 قطع جديدة أصلية في المخزون
12974372
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SSM10N954L,EFF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
12 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
13.5A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.75mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.4V @ 1.11mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
25 nC @ 4 V
Vgs (ماكس)
±8V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
800mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TCSPAC-153001
العبوة / العلبة
10-SMD, No Lead
معلومات إضافية
الباقة القياسية
10,000
اسماء اخرى
264-SSM10N954L,EFFCT-DG
264-SSM10N954L,EFFDKR-DG
264-SSM10N954L,EFFCT
264-SSM10N954L,EFFTR
264-SSM10N954LEFFTR
264-SSM10N954LEFFCT
264-SSM10N954L,EFFTR-DG
264-SSM10N954LEFFDKR
SSM10N954L,EFF(S
264-SSM10N954L,EFFDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PJW5N06A-AU_R2_000A1
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJQ4441P-AU_R2_000A1
40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
NVHL050N65S3F
SF3 FRFET AUTO 50MOHM TO-247
