رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SSM3J118TU(TE85L)
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
SSM3J118TU(TE85L)-DG
وصف:
MOSFET P-CH 30V 1.4A UFM
وصف تفصيلي:
P-Channel 30 V 1.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFM
المخزون:
99 قطع جديدة أصلية في المخزون
12889379
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SSM3J118TU(TE85L) المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
سلسلة
U-MOSII
حالة المنتج
Discontinued at Digi-Key
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1.4A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
240mOhm @ 650mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
-
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
137 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
500mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
UFM
العبوة / العلبة
3-SMD, Flat Leads
رقم المنتج الأساسي
SSM3J118
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SSM3J118TU(TE85L)CT
SSM3J118TU(TE85L)TR
SSM3J118TU(TE85L)DKR
SSM3J118TUTE85L
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SSM3J117TU,LF
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
5279
DiGi رقم الجزء
SSM3J117TU,LF-DG
سعر الوحدة
0.07
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
RRF015P03TL
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
5345
DiGi رقم الجزء
RRF015P03TL-DG
سعر الوحدة
0.10
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TJ60S04M3L(T6L1,NQ
MOSFET P-CH 40V 60A DPAK
SSM6K411TU(TE85L,F
MOSFET N-CH 20V 10A UF6
SSM3J338R,LF
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F
