رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SSM3J143TU,LXHF
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
SSM3J143TU,LXHF-DG
وصف:
SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 5.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFM
المخزون:
5322 قطع جديدة أصلية في المخزون
12964538
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SSM3J143TU,LXHF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
U-MOSVI
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5.5A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
12.8 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
+6V, -8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
840 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
500mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
UFM
العبوة / العلبة
3-SMD, Flat Leads
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
264-SSM3J143TULXHFCT
SSM3J143TU,LXHF(B
264-SSM3J143TULXHFTR
264-SSM3J143TULXHFDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SQJ128ELP-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
PJA7002H_R1_00001
SOT-23, MOSFET
PJA3411-AU_R1_000A1
SOT-23, MOSFET