رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SSM3J145TU,LXHF
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
SSM3J145TU,LXHF-DG
وصف:
SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 3A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFM
المخزون:
1346 قطع جديدة أصلية في المخزون
12964565
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SSM3J145TU,LXHF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
U-MOSVI
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
103mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
4.6 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
+6V, -8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
270 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
500mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
UFM
العبوة / العلبة
3-SMD, Flat Leads
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SSM3J145TU,LXHF(B
264-SSM3J145TULXHFTR
264-SSM3J145TULXHFDKR
264-SSM3J145TULXHFCT
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TK430A60F,S4X(S
MOSFET N-CH
SI3433BDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4.3A 6TSOP
PJC138K_R1_00001
SOT-323, MOSFET
