رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SSM3J15CT(TPL3)
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
SSM3J15CT(TPL3)-DG
وصف:
MOSFET P-CH 30V 100MA CST3
وصف تفصيلي:
P-Channel 30 V 100mA (Ta) 100mW (Ta) Surface Mount CST3
المخزون:
12890183
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SSM3J15CT(TPL3) المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
π-MOSVI
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
100mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.5V, 4V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
12Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
-
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
9.1 pF @ 3 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
100mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
CST3
العبوة / العلبة
SC-101, SOT-883
رقم المنتج الأساسي
SSM3J15
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
10,000
اسماء اخرى
SSM3J15CT(TPL3)TR
SSM3J15CTL3FCT
SSM3J15CTL3FTR
SSM3J15CTTPL3
SSM3J15CTL3FDKR-DG
SSM3J15CTL3FTR-DG
SSM3J15CTL3FDKR
SSM3J15CT(TPL3)DKR
SSM3J15CT(TPL3)CT
SSM3J15CTL3FCT-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
PMZ1200UPEYL
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
9975
DiGi رقم الجزء
PMZ1200UPEYL-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2SK2989(T6CANO,F,M
MOSFET N-CH TO92MOD
TK10V60W,LVQ
MOSFET N-CH 600V 9.7A 4DFN
SSM3K59CTB,L3F
MOSFET N-CH 40V 2A CST3B
