رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SSM3J16CT(TPL3)
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
SSM3J16CT(TPL3)-DG
وصف:
MOSFET P-CH 20V 100MA CST3
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 100mA (Ta) 100mW (Ta) Surface Mount CST3
المخزون:
12889676
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SSM3J16CT(TPL3) المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
π-MOSVI
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
100mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.5V, 4V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
8Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.1V @ 100µA
Vgs (ماكس)
±10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
11 pF @ 3 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
100mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
CST3
العبوة / العلبة
SC-101, SOT-883
رقم المنتج الأساسي
SSM3J16
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
10,000
اسماء اخرى
SSM3J16CTTPL3
SSM3J16CT(TPL3)CT
SSM3J16CT(TPL3)DKR
SSM3J16CT(TPL3)TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
RSC002P03T316
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
51619
DiGi رقم الجزء
RSC002P03T316-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PMZ950UPEYL
المُصنِّع
NXP Semiconductors
الكمية المتاحة
349613
DiGi رقم الجزء
PMZ950UPEYL-DG
سعر الوحدة
0.04
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SSM6K404TU,LF
MOSFET N-CH 20V 3A UF6
TK5Q65W,S1Q
MOSFET N-CH 650V 5.2A IPAK
TK20V60W5,LVQ
MOSFET N-CH 600V 20A 4DFN
