رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SSM3J64CTC,L3F
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
SSM3J64CTC,L3F-DG
وصف:
MOSFET P-CH 12V 1A CST3C
وصف تفصيلي:
P-Channel 12 V 1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount CST3C
المخزون:
19773 قطع جديدة أصلية في المخزون
12889953
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SSM3J64CTC,L3F المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
U-MOSVII
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
12 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.2V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
370mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 1mA
Vgs (ماكس)
±10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
50 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
500mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
CST3C
العبوة / العلبة
SC-101, SOT-883
رقم المنتج الأساسي
SSM3J64
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
10,000
اسماء اخرى
SSM3J64CTCL3FDKR
SSM3J64CTCL3FTR
SSM3J64CTC,L3F(T
SSM3J64CTC,L3F(B
SSM3J64CTCL3FCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMG1013UWQ-7
MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
2SK2962(T6CANO,A,F
MOSFET N-CH TO92MOD
SSM5H08TU,LF
MOSFET N-CH 20V 1.5A UFV
