رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SSM3K15CT(TPL3)
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
SSM3K15CT(TPL3)-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 100MA CST3
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 100mA (Ta) 100mW (Ta) Surface Mount CST3
المخزون:
12891355
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
HsbZ
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SSM3K15CT(TPL3) المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
سلسلة
π-MOSVI
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
100mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.5V, 4V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 100µA
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
7.8 pF @ 3 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
100mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
CST3
العبوة / العلبة
SC-101, SOT-883
رقم المنتج الأساسي
SSM3K15
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
10,000
اسماء اخرى
SSM3K15CTTPL3
SSM3K15CT(TPL3)TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SSM3K15ACT,L3F
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
26967
DiGi رقم الجزء
SSM3K15ACT,L3F-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
CEDM7001 TR PBFREE
المُصنِّع
Central Semiconductor Corp
الكمية المتاحة
8363
DiGi رقم الجزء
CEDM7001 TR PBFREE-DG
سعر الوحدة
0.15
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TPC8126,LQ(CM
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP
2SK3906(Q)
MOSFET N-CH 600V 20A TO3P
TPH1R712MD,L1Q
MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP
