رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SSM3K16CTC,L3F
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
SSM3K16CTC,L3F-DG
وصف:
MOSFET N-CH 20V 200MA CST3C
وصف تفصيلي:
N-Channel 20 V 200mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount CST3C
المخزون:
18613 قطع جديدة أصلية في المخزون
12891227
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SSM3K16CTC,L3F المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
200mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 1mA
Vgs (ماكس)
±10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
12 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
500mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
CST3C
العبوة / العلبة
SC-101, SOT-883
رقم المنتج الأساسي
SSM3K16
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
10,000
اسماء اخرى
SSM3K16CTCL3FCT-DG
SSM3K16CTC,L3F(B
264-SSM3K16CTC,L3FTR
SSM3K16CTCL3FCT
SSM3K16CTCL3FTR-DG
SSM3K16CTCL3FTR
264-SSM3K16CTC,L3FCT
SSM3K16CTCL3F(B
SSM3K16CTCL3FDKR-DG
264-SSM3K16CTC,L3FDKR
SSM3K16CTCL3F
SSM3K16CTCL3FDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TK7P60W,RVQ
MOSFET N CH 600V 7A DPAK
2SJ438,Q(M
MOSFET P-CH TO220NIS
SSM3K361TU,LF
MOSFET N-CH 100V 3.5A UFM
