رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SSM3K329R,LF
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
SSM3K329R,LF-DG
وصف:
MOSFET N CH 30V 3.5A 2-3Z1A
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 3.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F
المخزون:
43990 قطع جديدة أصلية في المخزون
12889408
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SSM3K329R,LF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
U-MOSIII
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.5A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.8V, 4V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
126mOhm @ 1A, 4V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
1.5 nC @ 4 V
Vgs (ماكس)
±12V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
123 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-23F
العبوة / العلبة
SOT-23-3 Flat Leads
رقم المنتج الأساسي
SSM3K329
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SSM3K329R,LF(B
SSM3K329R,LF(A
SSM3K329RLFCT
SSM3K329R,LF(T
SSM3K329RLFDKR
SSM3K329RLF
SSM3K329RLFTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
PMV90ENER
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
35690
DiGi رقم الجزء
PMV90ENER-DG
سعر الوحدة
0.05
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TK4A65DA(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 650V 3.5A TO220SIS
TK35A65W5,S5X
MOSFET N-CH 650V 35A TO220SIS
SSM3K35CTC,L3F
MOSFET N-CH 20V 250MA CST3C
