رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SSM5N16FUTE85LF
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
SSM5N16FUTE85LF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 20V 100MA USV
وصف تفصيلي:
N-Channel 20 V 100mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount 5-SSOP
المخزون:
12891290
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SSM5N16FUTE85LF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
π-MOSVI
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
100mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.5V, 4V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
-
Vgs (ماكس)
±10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
9.3 pF @ 3 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
200mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
5-SSOP
العبوة / العلبة
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
رقم المنتج الأساسي
SSM5N16
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SSM5N16FUTE85LFDKR
SSM5N16FU(TE85L,F)
SSM5N16FUTE85LFCT
SSM5N16FUTE85LFTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
2N7002BK,215
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
947299
DiGi رقم الجزء
2N7002BK,215-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SSM6J50TU,LF
MOSFET P-CH 20V 2.5A UF6
TPH5900CNH,L1Q
MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP
TK39N60W,S1VF
MOSFET N CH 600V 38.8A TO247
