رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SSM6J212FE,LF
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
SSM6J212FE,LF-DG
وصف:
MOSFET P-CH 20V 4A ES6
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6
المخزون:
12889356
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SSM6J212FE,LF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
U-MOSVI
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
40.7mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
14.1 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
970 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
500mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
ES6
العبوة / العلبة
SOT-563, SOT-666
رقم المنتج الأساسي
SSM6J212
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
SSM6J212FELFCT
SSM6J212FE(TE85LFTR-DG
SSM6J212FE(TE85LFTR
SSM6J212FELFDKRINACTIVE
SSM6J212FE(TE85LFDKR-DG
SSM6J212FE(TE85LFCT-DG
SSM6J212FE,LF(CA
SSM6J212FETE85LF
SSM6J212FE(TE85LFCT
SSM6J212FELFCTINACTIVE
SSM6J212FE(TE85L,F
SSM6J212FELFTR
SSM6J212FELFDKR
SSM6J212FELF
SSM6J212FELFTRINACTIVE
SSM6J212FE(TE85LFDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2SK3566(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220SIS
TK60P03M1,RQ(S
MOSFET N-CH 30V 60A DPAK
TK20A25D,S5Q(M
MOSFET N-CH 250V 20A TO220SIS
