رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SSM6J215FE(TE85L,F
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
SSM6J215FE(TE85L,F-DG
وصف:
MOSFET P CH 20V 3.4A ES6
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 3.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6
المخزون:
27 قطع جديدة أصلية في المخزون
12889758
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SSM6J215FE(TE85L,F المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
U-MOSVI
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.4A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
59mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
10.4 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
630 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
500mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
ES6
العبوة / العلبة
SOT-563, SOT-666
رقم المنتج الأساسي
SSM6J215
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
SSM6J215FE(TE85LFDKR
SSM6J215FE(TE85LFCT
SSM6J215FE(TE85LFTR
SSM6J215FETE85LF
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SSM3J145TU,LF
MOSFET P-CH 20V 3A UFM
TK3R1A04PL,S4X
MOSFET N-CH 40V 82A TO220SIS
SSM5H16TU,LF
MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV
