رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SSM6K217FE,LF
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
SSM6K217FE,LF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 1.8A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6
المخزون:
25332 قطع جديدة أصلية في المخزون
12891400
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SSM6K217FE,LF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
U-MOSVII-H
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1.8A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.8V, 8V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
195mOhm @ 1A, 8V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.2V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
1.1 nC @ 4.2 V
Vgs (ماكس)
±12V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
130 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
500mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
ES6
العبوة / العلبة
SOT-563, SOT-666
رقم المنتج الأساسي
SSM6K217
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
SSM6K217FELFCT
SSM6K217FE,LF(A
SSM6K217FELFTR
SSM6K217FELFDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TPH1R005PL,L1Q
MOSFET N-CH 45V 150A 8SOP
TK65G10N1,RQ
MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
TK650A60F,S4X
MOSFET N-CH 600V 11A TO220SIS
