رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SSM6K804R,LF
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
SSM6K804R,LF-DG
وصف:
N-CH MOSFET 40V, +/-20V, 12A ,0.
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 12A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 6-TSOP-F
المخزون:
5255 قطع جديدة أصلية في المخزون
13309560
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SSM6K804R,LF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
التغليف
Tape & Reel (TR)
حالة الجزء
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
12A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
12mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.4V @ 100µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
7.5 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1110 pF @ 20 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.5W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
175°C
درجة
-
تأهيل
-
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
6-TSOP-F
العبوة / العلبة
6-SMD, Flat Leads
رقم المنتج الأساسي
SSM6K804
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
264-SSM6K804R,LFCT-ND
264-SSM6K804R,LFTR
264-SSM6K804R,LFDKR
264-SSM6K804R,LFCT
264-SSM6K804R,LFDKR-ND
264-SSM6K804RLFTR
264-SSM6K804R,LFTR-ND
264-SSM6K804RLFDKR
264-SSM6K804RLFCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SSM6J808R,LF
P-CH MOSFET, -40 V, -7 A, 0.035O
DMTH12H007SPSW-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V PowerDI5
PSMNR56-25YLEX
PSMNR56-25YLE/SOT1023/4 LEADS