رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SSM6L09FUTE85LF
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
SSM6L09FUTE85LF-DG
وصف:
MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V 400mA, 200mA 300mW Surface Mount US6
المخزون:
38045 قطع جديدة أصلية في المخزون
12889231
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SSM6L09FUTE85LF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Not For New Designs
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
N and P-Channel
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
400mA, 200mA
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
700mOhm @ 200MA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.8V @ 100µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
-
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
20pF @ 5V
الطاقة - الحد الأقصى
300mW
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
US6
رقم المنتج الأساسي
SSM6L09
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SSM6J50TULF
SSM6L09FUTE85LFTR
SSM6J50TULF(B
SSM6L09FUTE85LFDKR
SSM6L09FUTE85LFCT
SSM6L09FU(TE85L,F)
SSM6L09FU (TE85L,F)
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NX3008CBKS,115
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
43168
DiGi رقم الجزء
NX3008CBKS,115-DG
سعر الوحدة
0.05
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SSM6N815R,LF
MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF
DMN2300UFL4-7
MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN
SSM6N357R,LF
MOSFET 2N-CH 60V 0.65A 6TSOPF
