رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SSM6N37FE,LM
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
SSM6N37FE,LM-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 20V 0.25A ES6
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V 250mA 150mW Surface Mount ES6
المخزون:
3485 قطع جديدة أصلية في المخزون
12891200
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SSM6N37FE,LM المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
250mA
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
-
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
12pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
150mW
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-563, SOT-666
حزمة جهاز المورد
ES6
رقم المنتج الأساسي
SSM6N37
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
SSM6N37FELM(TTR
264-SSM6N37FE,LMDKR
SSM6N37FE,LM(T
SSM6N37FELM(TTR-DG
264-SSM6N37FE,LMCT
SSM6N37FELM(TDKR
SSM6N37FELMDKR-DG
SSM6N37FE,LM(B
SSM6N37FELMTR
SSM6N37FELMCT
SSM6N37FELMCT-DG
SSM6N37FELM(TCT
SSM6N37FELM
SSM6N37FELMTR-DG
SSM6N37FELM(TDKR-DG
SSM6N37FELMDKR
SSM6N37FELM(TCT-DG
264-SSM6N37FE,LMTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SSM6L35FE,LM
MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
TPCL4201(TE85L,F)
MOSFET 2N-CH 4CHIP LGA
SSM6N24TU,LF
MOSFET 2N-CH 30V 0.5A UF6
