رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SSM6N7002KFU,LF
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
SSM6N7002KFU,LF-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A US6
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 60V 300mA 285mW Surface Mount US6
المخزون:
537894 قطع جديدة أصلية في المخزون
12889684
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SSM6N7002KFU,LF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
300mA
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
0.6nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
40pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
285mW
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
US6
رقم المنتج الأساسي
SSM6N7002
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SSM6N7002KFU,LF(T
SSM6N7002KFULFCT
SSM6N7002KFULFTR
SSM6N7002KFU,LF(B
SSM6N7002KFULFDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SSM6N68NU,LF
MOSFET 2N-CH 30V 4A 6DFN
SSM6P36FE,LM
MOSFET 2P-CH 20V 0.33A ES6
SSM6L12TU,LF
MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.5A UF6
