رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SSM6N7002KFU,LXH
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
SSM6N7002KFU,LXH-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A US6
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 60V 300mA (Ta) 285mW (Ta) Surface Mount US6
المخزون:
8535 قطع جديدة أصلية في المخزون
12964412
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SSM6N7002KFU,LXH المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
U-MOSVII-H
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
300mA (Ta)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
0.6nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
40pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
285mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
US6
رقم المنتج الأساسي
SSM6N7002
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
264-SSM6N7002KFULXHCT
SSM6N7002KFU,LXH(B
264-SSM6N7002KFULXHTR
264-SSM6N7002KFULXHDKR
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SI3983DV-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 6TSOP
SI1902DL-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
SSM6N62TU,LXHF
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A UF6
