رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TBC847B,LM
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TBC847B,LM-DG
وصف:
TRANS NPN 50V 0.15A SOT23-3
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 150 mA 100MHz 320 mW Surface Mount SOT-23-3
المخزون:
114846 قطع جديدة أصلية في المخزون
12889270
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TBC847B,LM المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
150 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
400mV @ 100mA, 5mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
30nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
200 @ 2mA, 5V
الطاقة - الحد الأقصى
320 mW
التردد - الانتقال
100MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
حزمة جهاز المورد
SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
TBC847
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
TBC847BLMTR
TBC847BLMCT
TBC847B,LM(T
TBC847BLMDKR
TBC847B,LM(B
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2SC4793,HFEF(J
TRANS NPN 230V 1A TO220NIS
MPS2907A-BP
TRANS PNP 60V 0.6A TO92
2SD2257,Q(J
TRANS NPN 100V 3A TO220NIS
