رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TJ60S06M3L(T6L1,NQ
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TJ60S06M3L(T6L1,NQ-DG
وصف:
MOSFET P-CH 60V 60A DPAK
وصف تفصيلي:
P-Channel 60 V 60A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount DPAK+
المخزون:
2361 قطع جديدة أصلية في المخزون
12889524
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TJ60S06M3L(T6L1,NQ المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
U-MOSVI
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
60A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
11.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
156 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
+10V, -20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
7760 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
100W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
DPAK+
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
TJ60S06
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
اسماء اخرى
264-TJ60S06M3L(T6L1,NQTR
264-TJ60S06M3L(T6L1,NQDKR
264-TJ60S06M3L(T6L1,NQCT
TJ60S06M3L(T6L1NQ-DG
TJ60S06M3L(T6L1NQ
TJ60S06M3LT6L1NQ
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SSM6J401TU,LF
MOSFET P-CH 30V 2.5A UF6
2SK2963(TE12L,F)
MOSFET N-CH 100V 1A PW-MINI
TK20E60W,S1VX
MOSFET N-CH 600V 20A TO220
