رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TK12P60W,RVQ(S
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TK12P60W,RVQ(S-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 11.5A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount DPAK
المخزون:
12890343
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TK12P60W,RVQ(S المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
DTMOSIV
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
11.5A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
340mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.7V @ 600µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
890 pF @ 300 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
100W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
DPAK
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
TK12P60
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
اسماء اخرى
TK12P60WRVQ(S
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STD16N65M5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
3222
DiGi رقم الجزء
STD16N65M5-DG
سعر الوحدة
1.28
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STD13N60M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
8724
DiGi رقم الجزء
STD13N60M2-DG
سعر الوحدة
0.81
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TPCA8021-H(TE12LQM
MOSFET N-CH 30V 27A 8SOP
TK6Q65W,S1Q
MOSFET N-CH 650V 5.8A IPAK
TPH2010FNH,L1Q
MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP