الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TK13A65U(STA4,Q,M)
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TK13A65U(STA4,Q,M)-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 13A TO220SIS
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 13A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12889540
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TK13A65U(STA4,Q,M) المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
DTMOSII
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
13A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
380mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
950 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
40W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220SIS
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
TK13A65
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
TK13A65USTA4QM
TK13A65U(STA4QM)
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STF16N65M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
1000
DiGi رقم الجزء
STF16N65M2-DG
سعر الوحدة
0.84
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
TK17A80W,S4X
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
52
DiGi رقم الجزء
TK17A80W,S4X-DG
سعر الوحدة
1.57
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
IPA60R380E6XKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
498
DiGi رقم الجزء
IPA60R380E6XKSA1-DG
سعر الوحدة
0.84
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STF11NM80
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
966
DiGi رقم الجزء
STF11NM80-DG
سعر الوحدة
2.95
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
R6011KNX
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
418
DiGi رقم الجزء
R6011KNX-DG
سعر الوحدة
0.74
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SSM3J46CTB(TPL3)
MOSFET P-CH 20V 2A CST3B
TJ30S06M3L(T6L1,NQ
MOSFET P-CH 60V 30A DPAK
SSM3K316T(TE85L,F)
MOSFET N-CH 30V 4A TSM
2SJ438,MDKQ(J
MOSFET P-CH TO220NIS