رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TK14G65W,RQ
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TK14G65W,RQ-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 13.7A (Ta) 130W (Tc) Surface Mount D2PAK
المخزون:
3525 قطع جديدة أصلية في المخزون
12891492
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TK14G65W,RQ المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
DTMOSIV
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
13.7A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
250mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 690µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1300 pF @ 300 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
130W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
D2PAK
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
TK14G65
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
TK14G65W,RQ(S
TK14G65WRQTR
TK14G65WRQCT
TK14G65WRQDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSS138W-7
MOSFET N-CH 50V 0.2A SOT323
2SK2035(T5L,F,T)
MOSFET N-CH 20V 100MA SSM
TPH5R906NH,L1Q
MOSFET N-CH 60V 28A 8SOP
