رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TK16J60W5,S1VQ
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TK16J60W5,S1VQ-DG
وصف:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 15.8A (Ta) 130W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
المخزون:
21 قطع جديدة أصلية في المخزون
12920898
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TK16J60W5,S1VQ المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
15.8A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
230mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 790µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1350 pF @ 300 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
130W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-3P(N)
العبوة / العلبة
TO-3P-3, SC-65-3
رقم المنتج الأساسي
TK16J60
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
25
اسماء اخرى
TK16J60W5,S1VQ(O
264-TK16J60W5S1VQ
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TK17A65W5,S5X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
TPH1500CNH,L1Q
MOSFET N-CH 150V 38A 8SOP
TK1K0A60F,S4X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
